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3D NAND设备由沈阳拓荆科技有限公司自主研发、承担了国家“十三五”重大科技专项,是国产首台应用于新一代闪存芯片生产线上的薄膜沉积设备,拥有100%自主知识产权。应用于30-20纳米集成电路的生产,可扩展到20nm以下制程。目前可实现氧化硅/氮化硅/氧化硅/氮化硅(ONON)多层薄膜堆叠结构,在颗粒度、粗糙度、应力及产能四大关键方面给予突破,设备性能指标达到同类产品国际先进水平,具备产业化能力及市场竞争力。

特点:

行业领先的技术水平

可实现多层氧化硅/氮化硅(ONON)堆叠

稳定的薄膜性能指标及工艺表现

不同种类薄膜沉积的快速切换,高产能化

能够满足300-600℃的高温沉积的要求

多层喷淋头结构设计,快速气相切换

通过S2安全认证