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FT-300T系列是我公司自主研发的原子层沉积(Atomic Layer Deposition)设备,应用于超大规模集成电路、OLED及先进封装(TSV)领域。

ALD沉积技术特点:

每种反应物交替通入反应腔室;

表面化学吸附反应,具有自限制性和互补性;

通过控制周期数(交替次数)达到精确控制薄膜生长的厚度;

具有优异的均匀性和极佳的保形性;

可配置Plasma Enhanced ALD及Thermal ALD;

FT-300T设备:

提供具有高质量的氧化硅、氮化硅,氧化铝薄膜;

SiO2薄膜,可应用于Double patterning,STI liner,FEOL Gate spacer;

SiNx薄膜,可应用于FEOL Gate spacer,etch stop layer for contact,gap fill;

Al2O3薄膜,可应用于OLED TFE,绝缘层等;

陆续拓展金属氧化物及金属氮化物