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拓荆首台3D NAND设备出厂

日期:2017年1月16日 09:18

2016年12月20日,由沈阳拓荆科技有限公司自主研发,国家首台国产3D NAND PECVD设备出厂到客户端开始验证。

拓荆的研发人员肩负国家使命,经过不到一年的攻关研发,开发了满足3D NAND闪存技术领域的PECVD设备,3D NAND PECVD设备采用特殊的反应腔设计和独特的气路系统,导入高温陶瓷加热盘,实现了高温沉积,完成了氧化硅/氮化硅/氧化硅/氮化硅(ONON)多层堆叠薄膜的工艺开发,通过对堆叠薄膜纳米级薄膜厚度的精密控制,实现了优质薄膜的交替沉积,经过了6.6万片马拉松可靠性传片考核,技术指标可满足需求。这标志着我国高端装备又取得一项突破性进展

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